Livermor milliy laboratoriyasi (LLNL) Thulium asosida ishlab chiqarilgan Ultrabrinet litografiyali (EUT) vositalarida ishlatiladigan karboniyalik dioksidli lazerli lazer texnologiyasini ishlab chiqmoqda. Ushbu yutuq "EUU" yangi avlodiga "EUU" litografiy tizimlari uchun eng tez tezlikda va kam energiya sarfi bilan ishlab chiqaradigan chiplarni ishlab chiqarish yo'lini ochishi mumkin.
Ayni paytda Euv litografiya tizimlarining energiya iste'moli katta e'tiborni tortdi. Auderaturaning pastligi (past Na) Euvumli diapapyut, Euv litografiya tizimlarini misollar sifatida qabul qilish, ularning energiya iste'moli 1,170 kilovatt va 1400 kVtmek yuqori. This high energy consumption is mainly due to the working principle of EUV systems: high-energy laser pulses evaporate tin droplets (500,000 degrees Celsius) at a frequency of tens of thousands per second to form plasma and emit light with 13,5 Nanometrning to'lqin uzunligi. Ushbu jarayon nafaqat ulkan lazer infratuzilmasi va sovutish tizimini talab qiladi, balki EUU yorug'lik ostiga suvbe tomonidan so'rimaslik uchun vakuum muhitida ham amalga oshirilishi kerak. Bundan tashqari, Euv asboblarining ilg'or ko'zgulari faqat EUU yorug'lik qismini aks ettirishi mumkin, shuning uchun ishlab chiqarish quvvatini oshirish uchun yanada kuchli lazerlar kerak.
Bu uyda ta'kidlanishicha, "LLNL" etakchiligidagi "katta diapapyut dogen lazer" (bat) texnologiyasi yuqorida ko'rsatilgan muammolarni hal qilish uchun mo'ljallangan. Taxminan 10 mikroiqli karbonat angidrid lazeridan farqli o'laroq, batgial mikronli 2 mikronni elektr tarmog'iga aylantiradigan 2 mikronni aylantiradi, bu esa piyozni lazerlar bilan aralashganida, uni kesish samaradorligini aks ettiradi. Bundan tashqari, batatsion tizim diodsizlangan qattiq davlat texnologiyasidan foydalanadi, bu esa gazli karbonat angidrid lazerlariga qaraganda yuqori elektr samaradorligi va issiqlik boshqaruv qobiliyatiga ega bo'lgan diodsiz quyi shtat texnologiyasidan foydalanadi.
Dastlab, "LLNL" tadqiqotlari ushbu ixcham va yuqori takrorlashni rejalashtirish stavkasini "EUU" so'zlarini "Bat lazerini" EUU yorug'lik tizimi bilan "Tin o'rmalash" tizimi bilan 2 mikronli aralashma bilan birlashtirish uchun birlashtirishni rejalashtirgan. "So'nggi besh yil ichida biz ushbu loyihaga poydevor qo'yish uchun nazariy plazma va kontseptsiyaning tekshiruv tajribalari va ishimiz allaqachon ta'sir ko'rsatdik va biz hozir juda xursandmiz Keyingi qadamlar, - dedi Brendan Reygan, LLNL-da lazerli fizik.
Biroq, yarimo'tkazgich ishlab chiqarishda BAT texnologiyasini qo'llash hali ham asosiy infratuzilmaning asosiy infratuzilmasini aniqlashning qiyinligini oshirishni talab qiladi. EUU EUD tizimlari o'nlab yillar davomida etuklik, shuning uchun Bat texnologiyasining haqiqiy qo'llanilishi uzoq vaqt talab qilishi mumkin.
Sanoat tahlilchi firmasining ta'kidlashicha, 2030 yilga kelib yarimo'tkazgichlar uchun energiya sarfi 54, {2}} gigapurt (GW) ga etadi. Agar Ultra-raqamli sinov qo'llanmasining keyingi avlodi (giper-n-) Euv litografiya texnologiyasi bozorga kirsa, energiya sarfini iste'mol qilish yanada kuchaytirilishi mumkin. Shu sababli, sohaning energiya tejaydigan Euv-mashinase texnologiyasini oshirishda davom etmoqda.
